核心技術
薄膜電晶體 (TFT- PD)
光電二極體基板：為使用薄膜電晶體製程於表面製作規律排列之感應畫素及電路之硬性或軟性基板，主要功能為感測、吸收可見光並轉變成電荷儲存於電晶體中。
- a-Si TFT Design & Manufacture
- IGZO TFT Design & Manufacture
- LTPS Design & Manufacture
- a-Si Photodiode Design & Manufacture
- Flexible & Glass Substrate Manufacture
用於X射線成像的非晶矽感測元件是由二維的畫素所構成，每個畫素包合非晶矽薄膜電晶體以及非晶矽光電二極體。此非晶矽感測元件透過薄膜製程而設置玻璃基板上。
與傳統的非晶矽系薄膜電晶體相比，氧化銦鎵鋅薄膜電晶體具有較高的電子遷移率以及較低的漏電流。可使感測元件的讀取更快，雜訊更低，畫素更小。
相較於非晶矽薄膜電晶體與氧化銦鎵鋅薄膜電晶體，低溫多晶矽薄膜電晶體具備較高的電子遷移率，可應用於讀取速度較高需求的產品上。
相較於玻璃基板，柔性基板於攜帶式X射線感測面板的應用上，具備了輕薄以及堅固的優勢。
閃爍體 (Scintillator)
為一化學合成的物質，功能為將人眼不可見之X光轉換成可見光，以利光電二極體接收，市場主流的閃爍體材料有碘化銫 (CsI)及硫氧化釓(Gd2O2S, GOS)。
- 碘化銫閃爍體直接蒸鍍技術
(CsI Direct Deposition Technology) - 碘化銫閃爍體貼合技術
(CsI Film Lamination Technology) - 硫氧化釓閃爍體貼合技術
(Gd2O2S Film Lamination Technology)
參染鉈的碘化銫閃爍體因其類光纖(fiber optic-like)的針狀結構，所以具備了較佳的光轉換效率(high-absorption coefficient)以及較佳的空間分辨率(spatial resolution)。
硫氧化釓閃爍體於空間分辨率上，雖然無法與碘化銫閃爍體匹敵，但其具備了成本競爭力以及較低的影像延遞(Image Lag)的優勢。
參染鉈的碘化銫閃爍體因其類光纖(fiber optic-like)的針狀結構，所以具備了較佳的光轉換效率(high-absorption coefficient)以及較佳的空間分辨率(spatial resolution)。
硫氧化釓閃爍體於空間分辨率上，雖然無法與碘化銫閃爍體匹敵，但其具備了成本競爭力以及較低的影像延遞(Image Lag)的優勢。