コアテクノロジー
TFTトランジスタ(TFT-PD)
フォトダイオード基板：薄膜トランジスタの製造工程を使用し、表面に規則的な配列によるセンサー画素及び回路を備えたリジッド基板またはフレキシブル基板を生成します。可視光線を感知し吸収して電荷に転換してトランジスタに蓄えることを主な機能としています。
- a-Si TFT Design & Manufacture
- IGZO TFT Design & Manufacture
- LTPS Design & Manufacture
- a-Si Photodiode Design & Manufacture
- Flexible & Glass Substrate Manufacture
X線を用いてイメージングを行うa-Siセンサーユニットは二次元の画素で構成されています。各画素にはa-Si及びa-Si薄膜トランジスタ及びa-Si感光性フォトダイオードが含まれています。このa-SiセンサーユニットはTFT製造工程でガラス基板上に設置されます。
従来のa-Si薄膜トランジスタと比べ、IGZO薄膜トランジスタは電子移動度が高く、電流のリークが低くなっています。センサーユニットの読み取りをより早く、ノイズをさらに少なく、画素をより小さくできます。
a-Si薄膜トランジスタとIGZO薄膜トランジスタに比べ、LTPSは電子移動度が高く、読み取り速度の要求水準が高い製品に応用できます。
ガラス基板と比べて、フレキシブル基板は携帯型X線センサーパネルへの応用において、軽く薄く、壊れにくいというメリットがあります。
シンチレータ(Scintillator)
フォトダイオードが受け取りやすいよう、肉眼では見ることのできないX線を可視光線に転換することができる化学物質です。マーケットで主流のシンチレータの材料はヨウ化セシウム(Csl)及び 硫酸化ガドリニウム(Gd2O2S、GOS)です。
- ウ化セシウム・シンチレータ直接蒸着技術
(CsI Direct Deposition Technology) - ヨウ化セシウム・フィルムラミネーション技術
(CsI Film Lamination Technology) - 硫酸化ガドリニウム・フィルムラミネーション技術
(Gd2O2S Film Lamination Technology)
ヨウ化セシウム・シンチレータは蛍光体材質(fiber optic-like)の針状構造により、優れた吸光係数(high-absorption coefficient)及び優れた空間解像度(spatial resolution)を備えています。
硫酸化ガドリニウム・シンチレータは空間解像度にてヨウ化セシウム・シンチレータより劣りますが、コスト競争力に優れ、残像(Image Lag)が低いというメリットがあります。
ヨウ化セシウム・シンチレータは蛍光体材質(fiber optic-like)の針状構造により、優れた吸光係数(high-absorption coefficient)及び優れた空間解像度(spatial resolution)を備えています。
硫酸化ガドリニウム・シンチレータは空間解像度にてヨウ化セシウム・シンチレータより劣りますが、コスト競争力に優れ、残像(Image Lag)が低いというメリットがあります。